課程資訊
課程名稱
多元化金氧半積電技術
Diversified Cmos Ic Tech 
開課學期
100-2 
授課對象
電機資訊學院  電子工程學研究所  
授課教師
郭正邦 
課號
EE5001 
課程識別碼
921EU0020 
班次
 
學分
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期一A,B,C(18:25~21:05) 
上課地點
博理113 
備註
本課程以英語授課。
總人數上限:100人 
Ceiba 課程網頁
http://ceiba.ntu.edu.tw/1002div 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
本課程尚未建立核心能力關連
課程大綱
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課程概述

Bipolar 數位 IC 是半導體高科技工業最早期之產品,在 1960年代造成最期大型電腦之發
展。1980年代迄今之 CMOS 數位 IC 使微電子半導體工業造成電腦之快速縮小、使社會快
速的資訊化。由 CMOS 所演化出來之 BiCMOS IC 在過去 30 年曾經對數位 IC 造成很大之
衝擊 近年來silicon-on-insulator (SOI) CMOS技術快速成長,現在最快的CPU是由 SOI
CMOS所製造 在21世紀SOI CMOS將成 SOC VLSI之主力技術 此一課程是本人在此領域 20 餘年來
之心得與返母校任教20年來教學與研究之結晶。本課程環繞於多元化CMOS數位IC 製程、元
件、電路,從 BiCMOS 數位 IC 出發至SOI CMOS 之演進過程做出相關之闡述。並且特別重
視與 CMOS 之比較
1 Introduction--Objectives
(a)CMOS trends, (b) BiCMOS trends, (c) SOI CMOS trends

2.BiCMOS Technology
(a)BiCMOS processing tech, (b) bipolar device structure,
(d) advanced BiCMOS

3 BJT
(a) basics, (b)bandgap narrowing, (c)current gain,
(d)transit time, (d) poly-emitter, (e)base resistance,
(f) high injection, (g) Gummel-Poon Model, (h)ECL transient,
(i) SiGe-base HBT

4. BiCMOS Circuits
(a)static ckt, (b) dynamic ckt, (c) transient analysis,
(d)low-voltage tech, (d) BiCMOS SRAM,

5. SOI CMOS technology
(a)SIMOX, (b)BESOI, (c)ZMR, (d) SOI CMOS tech integration

6. SOI CMOS Devices
(a)FD vs PD, (b) accumulation vs inversion,
(c)threshold volt, (d)SCE/NCE, (e)transients,
(f)kink effects, (g)self heating

7. SOI CMOS circuits
(a)DTMOS tech, (b)DRAM, (c)SRAM,
(d) low-volt ckts
 

課程目標
培訓學生成為具有先進多元CMOS 技術知識包括SOI/ BiCMOS
如園區一流國際水準專業微電子工程師的課程 
課程要求
Grading
Midterm Exam(40%) Homework(30%) Final Exam or Project(30%)

預修課程
Electronics  
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
指定閱讀
 
參考書目
Textbooks
1. J. B. Kuo, Low-Voltage SOI CMOS Devices and Circuits, Wiley, New York
2001 and 2004, ISBN 0471417777, ISBN 9780471464174
2. J. B. Kuo, BiCMOS Digital IC, McGraw-Hill, Taipei, 1996
ISBN 9579453985, ISBN 9579453764
請下載列印課程網站中公布欄中的BiCMOS講義檔
 
評量方式
(僅供參考)
   
課程進度
週次
日期
單元主題
無資料